Transport dziurowy wzmocniony absorpcją w nieuporządkowanych warstwach tetracenu
PDF (English)

Słowa kluczowe

tetracene films
p-quaterphenyl films
adsorption
electron transfer reactions

Jak cytować

Kania, S., & Kuliński, J. (2015). Transport dziurowy wzmocniony absorpcją w nieuporządkowanych warstwach tetracenu. Scientific Bulletin. Physics, 36(1204), 40-48. https://doi.org/10.34658/physics.2015.36.40-48

Abstrakt

Badano proces aktywacji i proces transportu elektronów w warstwach tetracenu poddanych oddziaływaniu powietrza. Badania przeprowadzone za pomocą metody czasu przelotu (TOF), której wyniki posłużyły jako wsadowe do obliczeń parametrów elektrycznych warstw przy wykorzystaniu metody różniczkowej analizy prądów ograniczonych ładunkiem przestrzennym, wykazały koncentrację pułapek Nt = 1,6·1020 cm-3, porównywalną do całkowitej gęstości stanów Nv = 3,3·1021 cm-3; może to świadczyć o nasilonej dyfuzji masy w głąb warstwy.

https://doi.org/10.34658/physics.2015.36.40-48
PDF (English)

Bibliografia

Kania S., Kuliński J. 2011. Activation of thin layers of two aromatic hydrocarbons. Chem. Met. Alloys. 4: 31-37.

Kania S., Kondrasiuk J., Bąk G.W. 1999. Influence of ambient atmosphere on charge transport in thin films of low–molecular weight organic compounds. Mol. Phys. Reports. 25: 93-98.

Mycielski W.E. 1980. Evidence of hopping conduction among localized states in disordered systems of simple aromatic compounds. J. Non-Crystalline Solids. 37: 267-271.

Kania S. 2004. The magnitude of the order and the hole transport in the tetracene films. Sci. Bull. Tech. Univ. Lodz, Physics. 24: 47-60.

Kania S. 2007. Charge carrier transport in the tetracene layers with a different structural order. Visnyk of Lviv Univ. Series Physical. 40: 322-336.

Lampert M.A., Mark P. 1970. Current injection in solids, New York: Academic Press.

Scher H., Montroll E.W. 1975. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids. Phys. Rev. B 12: 2455-2477.

Bagratishvili G.D., Dzhanelidze R.B., Jishishvili D.A., Piskanovskii L.V., Zyuganov A.N., Mikhelashvili V.N., Smertenko P.S. 1981. Mechanism of charge flow through the M-Ge3N4-GaAs Structure. Phys. stat. sol. (a) 65: 701-707.

Mikhelashvili V., Eisenstein G. 2001. Effect of annealing conditions on optical and electrical characteristics of titanium dioxide films deposited by electron beam evaporation. J. Appl Phys. 89: 3256-3269.

Dacuňa J., Salleo A. 2011. Modeling space–charge limited currents in organic semiconductors: exctracting trap density and mobility. Physical Review B 84: 195209-1 - 195209-9.

Kania S., Kuliński J. 2011. Absorbtion enhanced currents in thin layers of low dimentional organics. Sci. Bull. Tech. Univ. Lodz, Physics 32: 23-30.

Rühle V., Lukyanov A., Falk M., Schrader M., Vehoff T., Kirkpatrick J., Baumeier B., Andrienko D. 2011. Microscopic simulations of charge transport in disordered organic semiconductors. J. Chem. Theory Comput. 7: 3335-3345.

Pobrania pliku

Brak danych dotyczących pobrań pliku.