Pewne własności elektryczne cienkich warstw 9,10-dimetyloantracenu i 1-acenaftolu

Abstrakt

Zbadano własności elektryczne materiałów o czystości spektralnej uzyskanych metodą dodatkowego oczyszczania strefowego komercyjnie dostępnych 1-acenaftolu i 9,10-dimetyloantracenu. Warstwy wymienionych związków, naparowywane w próżni 105 Tr, wykazywały wysoką oporność właściwą w granicach 1011-1012 Ω·m i charakteryzowały się bardzo niską zawartością pułapek rzędu 1011-1014 cm-3. Wyniki świadczą o stabilności molekuł badanych materiałów w warunkach naparowywania termicznego w próżni 10-5 Tr oraz o ich zdolności do łatwej nukleacji na złotych elektrodach. Warstwy wykazują stabilność rezystancji aż do wartości pola polaryzacji 2·107 V/m.