Zagadnienia cieplne w arsenkowych laserach typu VECSEL
PDF (English)

Słowa kluczowe

VECSEL
semiconductor disk laser
heat management
thermal management
GaInNAs

Jak cytować

Sokół, A., & Sarzała, R. (2011). Zagadnienia cieplne w arsenkowych laserach typu VECSEL. Scientific Bulletin. Physics, 32(1105), 53-63. https://doi.org/10.34658/physics.2011.32.53-63

Abstrakt

W pracy zostały opisane i przeanalizowane wybrane aspekty dotyczace własności cieplnych optycznie pompowanych laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z zewnetrzną pionową wnęką rezonansową (VECSELs, ang. vertical-external-cavity surface-emitting lasers) na podłożu z GaAs. Obliczenia wykonano dla typowych konfiguracji montażowych lasera typu VECSEL z obszarem czynnym w postaci wielokrotnej studni kwantowej wykonanej w systemie materiałowym GaInNAs/GaAs. Do symulacji dwuwymiarowego rozpływu ciepła wykorzystano samouzgodniony model cieplny oparty na metodzie elementów skończonych (MES), przy pomocy którego porównano własnosci cieplne poszczególnych struktur oraz określono wpływ parametrów wiązki pompującej (moc, średnica) i heat spreadera (przewodność cieplna, grubość) na maksymalny przyrost temperatury w ich wnetrzach.

https://doi.org/10.34658/physics.2011.32.53-63
PDF (English)

Bibliografia

Kemp A.J., Hopkins J.-M., Maclean A.J., Schulz N., Rattunde M., Wagner J., Burns D., IEEE J. Quantum Electron., 44 (2008) 125.

Maclean A.J., Kemp A.J., Calvez S., Kim J.-Y., Kim T., Dawson M.D., Burns D., IEEE J. Quantum Electron., 44 (2008) 216.

Kemp A.J., Valentine G.J., Hopkins J.-M., Hastie J.E., Smith S.A., Calvez S., Dawson M.D., Burns D., IEEE J. Quantum Electron., 41 (2005) 148.

Maclean A.J., Kemp A.J., Burns D., Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) and Quantum Electronics and Laser Science Conference (QELS) 2008.

Kemp A.J., Maclean A.J., Hasties J.E., Smith S.A., Hopkins J.-M., Calvez S., Valentinem G.J., Dawson M.D., Burns D., Appl. Phys. B, 83 (2006) 189.

Hopkins J.-M., Smith S.A., Jeon C.W., Sun H.D., Burns D., Calvez S., Dawson M.D., Jouhti T., Pessa M., Electron. Lett., 40 (2004) 30.

Miyamoto T., Takeuchi K., Kageyama T., Koyama F., Iga K., J. Cryst. Growth., 197 (1999) 67.

Monemar B., Shih K.K., Pettit G.D., J. Appl. Phys., 47 (1976) 2604.

Smith S.A., Hopkins J.-M., Hastie J.E., Burns D., Calvez S., Dawson M.D., Jouhti T., Kontinnen J., Pessa M., Electron. Lett., 40 (2004) 935.

Amith A., Kudman I., Steigmeier E.F., Phys. Rev., 138 (1965) A1270.

Adachi S., J. Appl. Phys., 58 (1985) R1.

Nakwaski W., J. Appl. Phys., 64 (1988) 159.

Guden M., Piprek J., Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., 4 (1996) 349.

Kim W., Zide J., Gossard A., Klenov D., Stemmer S., Shakouri A., Majumdar A., Phys. Rev. Lett., 96 (2006) 045901.

Pobrania pliku

Brak danych dotyczących pobrań pliku.