Prędkości wzrostu i sektoralne oraz zonalne rozkłady zanieczyszczeń w kryształach
PDF (English)

Słowa kluczowe

Crystal growth
impurities
lopezite crystals
defects

Jak cytować

Szurgot, M. (2010). Prędkości wzrostu i sektoralne oraz zonalne rozkłady zanieczyszczeń w kryształach. Scientific Bulletin. Physics, 31(1082), 75-86. https://doi.org/10.34658/physics.2010.31.75-86

Abstrakt

Analizowano rozkład zanieczyszczeń w kryształach, wprowadzając nowe zależności na zawartość zanieczyszczeń w ró nych częściach kryształów, które wyprowadzono wykorzystując równanie Burtona-Prima-Slichtera. Porównanie zawartości domieszek określonych teoretycznie z danymi eksperymentalnymi gęstości klasterów defektów punktowych w różnych sektorach i próbkach domieszkowych kryształów lopezytu pokazuje, że dla lopezytu wkład dyfuzji objętościowej jest mały i uwzględnienie procesów dyfuzji powierzchniowej jest konieczne.

https://doi.org/10.34658/physics.2010.31.75-86
PDF (English)

Bibliografia

Sangwal K., Additives and Crystallization Processes: from Fundamentals to Applications (Wiley, Chichester, 2007). Ch. 9.

Chernov A.A., Crystallization processes. In: Modern Crystallography III: Crystal Growth Chernov A.A, ed. (Springer, Berlin1984) 1.

Elwell D., Scheel H.J., Crystal Growth from High-Temperature Solutions (Academic Press, London 1975).

Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids (North-Holland, Amsterdam 1973).

Szurgot M., Sangwal K., Karniewicz J., Cryst. Res. Technol., 20 (1985) 645.

Szurgot M., Sangwal K., Cryst. Res. Technol., 22 (1987) 1477.

Szurgot M., Cryst. Res. Technol., 25 (1990) 71, 285.

Szurgot M., Cryst. Res. Technol. 28 (1993) 511.

Szurgot M., Cryst. Res. Technol. 26 (1991) 43.

Lefaucheux F., Robert M.C., Sangwal K., J. Crystal Growth, 67(1984) 541.

Szurgot, M., Cryst. Res. Technol. 45 (2010) 347.

Szurgot M., Investigations of distributions of point defect clusters in lopezite crystals by etch topography, in: Microscopy: Science, Technology, Applications and Education, A. Badajoz 2010.

Burton J.A., Prim R.C., Slichter W.P., J. Chem. Phys., 21, 1987 (1953).

Sangwal K., Szurgot M., J. Crystal Growth, 80 (1987) 351.

Szurgot M., Chemical Geology, 84 (1990) 329.

Szurgot M., Sangwal K., J. Crystal Growth, 79 (1986) 829.

Sangwal K., Etching of Crystals – Theory, Experiment and Application (North-Holland, Amsterdam, 1987).

Authier A., X-ray and Neutron Topography of Solution-grown Crystals, in: Current Topics in Material Science, E. Kaldis and H.J. Scheel, eds., Vol. 2, (North Holland, Amsterdam 1977), p. 515.

Pobrania pliku

Brak danych dotyczących pobrań pliku.