Prądowa zależność rezystancji i pojemności w laserze o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową
Tom 38 Nr 1219 (2017), Artykuły
Tom 38 Nr 1219 (2017)

Prądowa zależność rezystancji i pojemności w laserze o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową

Artykuły
https://doi.org/10.34658/physics.2017.38.53-60
Opublikowano December 31, 2017
Paulina Komar
Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka
Patrycja Śpiewak
Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka
Marcin Gębski
Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka
James A. Lott
Institute of Solid State Physics and the Center of Nanophotonics, Technical University of Berlin
Michał Wasiak
Instytut Fizyki, Politechnika Łódzka
Physics (2017), Vol.38
PDF (English)

Słowa kluczowe

VCSEL
high-frequency modulation
capacitance
modelling of semiconductor lasers

Jak cytować

Komar, P., Śpiewak, P., Gębski, M., Lott, J. A., & Wasiak, M. (2017). Prądowa zależność rezystancji i pojemności w laserze o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową. Scientific Bulletin. Physics, 38(1219), 53-60. https://doi.org/10.34658/physics.2017.38.53-60
ACM ACS APA ABNT Chicago Harvard IEEE MLA Turabian Vancouver

Pobierz cytowania

Endnote/Zotero/Mendeley (RIS) BibTeX

Abstrakt

W oparciu o model impedancji i stałych czasowych modulacji dla laserów o emisji powierzchniowej z pionową wnęką rezonansową (VCSEL) badamy opory i pojemności równoważnego obwodu w funkcji prądu przepływającego przez laser. Obserwujemy, że wraz ze wzrostem prądu przepływającego przez urządzenie, niektóre ze składowych rezystancji i pojemności w elektrycznym układzie zastępczym ulegają zmniejszeniu. Wraz ze wzrostem prądu zmniejsza się również stała czasu modulacji.

https://doi.org/10.34658/physics.2017.38.53-60
PDF (English)

Bibliografia

Li H., Lott J.A., Wolf P., Moser P., Larisch G., Bimberg D. 2015. Temperature-dependent impedance characteristics of temperature-stable high-speed 980 nm VCSELs. IEEE Photon. Technol. Lett. 27:832-835.

Li H., Wolf P., Moser P., Larisch G., Lott J.A., Bimberg D. 2014. Temperature-stable 980 nm VCSELs for 35 Gb s−1operation at 85°C with 139 fJ/bit dissipated heat. IEEE Photon. Technol. Lett. 26:2349-2352.

Moser P., Lott J.A., Larisch G., Bimberg D. 2015. Impact of the oxide-aperture diameter on the energy-efficiency, bandwidth, and temperature stability of 980 nm VCSELs. J. Lightwave Technol. 33:825-831.

Ou Y., Gustavsson J.S., Westbergh P., Haglund Å., Larsson A., Joel A. 2009. Impedance characteristics and parasitic speed limitations of high-speed 850nm VCSELs. IEEE Photon. Technol. Lett. 21:1840-1842.

Wasiak M., Śpiewak P., Moser P., Walczak J., Sarzała R.P., Czyszanowski T., Lott J.A. 2016. Numerical model of capacitance in vertical-cavity surface-emitting lasers. J. Phys. D: Appl. Phys. 49:175104.

Piskorski Ł., Sarzała R.P., Nakwaski W. 2007. Self-consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surface-emitting diode lasers. Semicond. Sci. Technol. 22:593-600.

Xu D., Tong C., Yoon S.F., Fan W., Zhang D.H., Wasiak M., Piskorski Ł., Gutowski K., Sarzała R.P., Nakwaski W. 2009. Room-temperature continuous-wave operation of the In(Ga)As/GaAs quantum-dot VCSELs for the 1.3μm optical-fibre communication. Semicond. Sci. Technol. 24:055003.

Pobrania pliku

Brak danych dotyczących pobrań pliku.